11.01.2017
Филиал японской компании Rhom Semiconductor в Европе приступил к созданию третьего поколения MOSFETs транзисторов на основе карбид кремния.
Специалисты корпорации указывают, что сейчас в массовом производстве находятся первые траншейные МОП-транзисторы. Это поколение характеризуется следующими качествами:
- снижение сопротивления на 50% во всем диапазоне температур;
- низкие потери при переключении на высокие скорости, что обеспечивает оптимальную производительность;
- увеличение частоты коммутации способствует уменьшению размеров периферийных компонентов (конденсаторов и катушек);
- высокая эффективность преобразований.
По заявлениям сотрудников Rhom Semiconductor, третье поколение изделий оснащено барьерными диодами Шоттки. Транзисторы имеют такие свойства:
- наименьшее прямое напряжение;
- низкая утечка обратного тока во всем температурном диапазоне;
- высокая способность к ударным токам, что идеально подходит для приложений электропитания.
Используемые в устройствах диоды показывают ультракороткое время обратного восстановления, если сравнивать с кремниевыми изделиями.
Также компания работает над созданием нового модуля питания с более низкой паразитной индуктивностью.