Презентовали диоды Шоттки на основе карбида кремния

21.06.2017

В конце мая 2017 г. в Европе состоялась выставка «Преобразование мощности и интеллектуальное движение» (PCIM). На 335-ом стенде в 7-ом зале представлена разработка, которая стала венцом длительного сотрудничества двух американских компаний Littlefuse, Inc. и Monolith Semiconductor. Стоит напомнить, что первая занимается производством деталей для защиты электрических цепей, а деятельность второй связана с полевыми транзисторами. Результатами партнерства двух корпораций стала разработка диодов Шоттки на основе карбида кремния емкостью 1200 В. Указанные диоды изготавливаются на основе контакта металл-полупроводник. Новинка принадлежит к серии GEN2 и является первым устройством, доступным на коммерческом уровне.

Презентовали диоды Шоттки на основе карбида кремния

Посетителей мероприятия заинтересовала разработка, она стала предметом многочисленных обсуждений с разработчиками по поводу возможностей и функциональности устройств.

Разработчики подчеркнули, что диоды из SiC и МОП-транзисторы начинают занимать основное место в сфере полупроводников, а потому их ждет значительный коммерческий успех. На всех мероприятиях этого года, посвященных подобным технологиям, будет присутствовать и стенд с диодами Шоттки на основе карбида кремния.

Кроме того, на выставке были представлены и другие продукты компаний с использование SiC. Это свидетельствует о том, что у материала ещё много областей применения и он станет основой многих научных работ в будущем.